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2023年7月11日——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）今日宣布，公司在針對美商科林研發(fā)股份公司（Lam Research Corporation，以下簡稱“科林研發(fā)”）提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴。

在上海市高級人民法院2023年6月30日的終審判決中，法院命令科林研發(fā)銷毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機有關的一份技術(shù)文件和兩張照片。法院還禁止科林研發(fā)及科林研發(fā)的兩名個人被告披露、使用或允許他人使用中微公司的專有的技術(shù)秘密。法院還命令科林研發(fā)為其侵犯商業(yè)秘密向中微公司支付賠償金和法律費用。

中微公司2010年12月向上海市第一中級人民法院就科林研發(fā)侵犯公司商業(yè)秘密案提起一審訴訟，并于2017年3月贏得一審訴訟。隨后，該案件被上訴至上海市高級人民法院。在上海市高級人民法院作出二審判決前，中微公司為保護與捍衛(wèi)自身權(quán)益進行了長達6年的斗爭，并取得終審勝利。

什么是等離子體刻蝕設備？

以下內(nèi)容來自中微半導體官網(wǎng)介紹

刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達上百個，是半導體制造中最常用的工藝之一。

中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕（等離子體刻蝕）設備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結(jié)構(gòu)的不同，可分為電介質(zhì)刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設備帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時對性能的要求（刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性）越來越高。中微公司憑借一系列刻蝕設備組合處于刻蝕創(chuàng)新技術(shù)的前沿，幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進的微觀結(jié)構(gòu)，具有成本優(yōu)勢。中微公司自主研發(fā)生產(chǎn)的刻蝕設備已被眾多領先客戶的芯片生產(chǎn)線所采用，用于制造先進的半導體器件，以推動人工智能、機器學習和機器人技術(shù)的發(fā)展。這些半導體器件還能提供邏輯和存儲器，以應用于消費者電子產(chǎn)品、5G網(wǎng)絡、功能強大的服務器、自動駕駛汽車、智能電網(wǎng)等領域。

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